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P+F電感式接近開關分類齊全

簡要描述:P+F電感式接近開關分類齊全NBB1.5-8GM50-E2
其中K為霍爾系數(shù),I為薄片中通過的電流,B為外加磁場(洛倫慈力Lorrentz)的磁感應強度,d是薄片的厚度。

  • 產品型號:NBB1.5-8GM50-E2
  • 廠商性質:經銷商
  • 更新時間:2024-05-28
  • 訪  問  量:984

P+F電感式接近開關分類齊全NBB1.5-8GM50-E2

產品概述:

當一塊通有電流的金屬或半導體薄片垂直地放在磁場中時,

薄片的兩端就會產生電位差,這種現(xiàn)象就稱為霍爾效應。

兩端具有的電位差值稱為霍爾電勢U,其表達式為

U=K·I·B/d

由此可見,霍爾效應的靈敏度低與外加磁場的磁感應強度成正比的關系。

霍爾開關就屬于這種有源磁電轉換器件,

它是在霍爾效應原理的基礎上,

利用集成封裝和組裝工藝制作而成,

它可方便的把磁輸入信號轉換成實際應用中的電信號,

同時又具備工業(yè)場合實際應用易操作和可靠性的要求。

工作原理:

電感式接近開關由三大部分組成:

振蕩器、開關電路及放大輸出電路。

振蕩器產生一個交變磁場。

當金屬目標接近這一磁場,

并達到感應距離時,

在金屬目標內產生渦流,

從而導致振蕩衰減,以至停振。

振蕩器振蕩及停振的變化被后級放大電路處理并轉換成開關信號,

觸發(fā)驅動控制器件,從而達到非接觸式之檢測目的

熱門型號:

NBN4-12GM50-E2

NBN4-12GM50-E0

NBN4-12GM40-Z0

NJ4-12GM40-E2

NBB4-12GM50-E2

NBB4-12GM50-E0

NBB5-18GM50-E2

NBB5-18GM50-E0

NBB5-18GM60-A2

NBB5-18GM60-Z0

P+F電感式接近開關分類齊全NBB1.5-8GM50-E2


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